突破制裁？中國研發出國產DUV光刻機　可產8納米及以下晶片

中國工信部近日宣布，研發出首台國產深紫外光（DUV）光刻機，可生產8納米及以下晶片。

據工信部官網日前公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知顯示，中國已成功研發出一種被稱為「氟化氬光刻機」的深紫外光光刻機設備，這台設備的核心技術指標包括300毫米晶圓直徑、193納米照明波長、65納米以下分辨率，以及8納米以下套刻能力。這意味着該設備理論上可以用於生產8納米及更先進製程的晶片。

近期，美國和荷蘭相繼收緊半導體製造設備的出口管制措施，包括對ASML部分中階DUV設備的限制，中國國產DUV光刻機的研發進展受到關注。外媒引述專家指出，儘管與全球領先的荷蘭ASML公司的設備相比還存在一定差距，但中國自主研發的DUV光刻機，填補了國內半導體設備製造的一項重要空白。