美學者研新物質 未來助電子產品極速運算

20140523
東網電視
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科學家研發出新物質,可讓電子從內部通過。(互聯網)

美國普林斯頓大學科學家,聯同台灣、新加坡、德國及瑞典的專家,早前研究出一種新物質,專家指新物質讓電子在物質內部通過,未來或能將之投放於生產智能手機及板腦,令運算及資料傳送上變得更快。

該物質以砷及鎘組成,研究發現電子在這組合物質內部的傳送速度,比鉍與硒組成的物質快1萬倍。學者認為成為電子產品運算及資料傳送的理想物質。這種新物質,以1993年獲諾貝爾物理學獎的英國物理學家狄喇克(Paul Dirac)命為,稱為「拓撲狄喇克半金屬」(topological Dirac semi-metal,暫譯)。