華為瓣數多多　傳發展功率半導體器件

內媒引述消息報道，被美國封殺半導體供應的中國科技巨頭華為，正在為公司的功率器件研發大肆招兵，並部署第三代半導體，而該公司去年底在專業社交平台LinkedIn發布了多條招募絕緣閘雙極電晶體(IGBT)研發人員的消息。

功率器件是新能源汽車電控系統中最核心的電子器件之一，新能源汽車中功率器件的價值量約為傳統燃油車的5倍以上。該報道指，華為原本就計劃成為德國博世這樣的汽車零部件供應商。

目前，傳統矽(Si)材料仍佔據95%以上的半導體器件市場。然而，隨着5G、汽車電動化時代到來，對功率器件在開關頻率、散熱、抗壓性能等方面都有了更高層次的要求，傳統矽基礎的功率器件逐漸出現瓶頸。

因此，第三代半導體材料憑借高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，開始得到重視。尤其是氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC）)第三代半導體材料中，屬於技術較為成熟且市場認可度高，並逐漸在5G、新能源汽車、消費電子等領域得到重要應用。其中，新能源汽車是被看好的高成長性市場。