三星推用於AI晶片　容量業界最高　擬下半年投產

外媒報道，三星電子表示已成功研發出利用硅通孔技術（TSV）的業界首款12層堆疊第五代高頻寬記憶體（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量為業界最大的36GB，可應用於人工智能（AI）晶片，

據悉，公司目前已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，並計劃從今年下半年投入量產。

此外，三星正在積極研發第六代高性能高頻寬記憶體（HBM4）產品，目標2025年推出樣品，2026年起量產。