【突圍有法？】華為推新專利　或不靠EUV生產5納米晶片

外媒報道，內地科企華為與國資半導體公司新凱來(SiCarrier）申請新的晶片製造專利，稱指為「低技術但巨潛力的的製造方式」，尋求在美國制裁中取得新突破。

據兩企向中國國家知識產權局提交的專利文件顯示，他們正開發涉及「自對準四重成像技術(SAQP）」，相信能減少對先進製程光刻技術的依賴，能在沒有ASML最先進極紫外光刻機(EUV)的情況下生產先進製程晶片。

據悉，SAQP為一種在硅晶圓上進行多次蝕刻，以增加電晶體密度從而提高性能的技術。華為申請文件中稱其為一種「使用該技術製造更複雜半導體的方法；採用專利將增加電路圖案的設計自由度」。

新凱來在去年底獲得一項涉及SAQP的專利。根據其申請文件，其專利採用深紫外光刻技術(DUV)、晶片製造機器和SAQP技術，以達到5納米晶片的某些技術門檻。該公司表示，該方法可以避免使用EUV，同時降低製造成本。

不過，研究公司TechInsights副董事長Dan Hutcheson認為，雖然華為能使用SAQP製造5納米晶片，但長遠來說，中國仍需要使用EUV製造晶片；「可以減輕問題，但不能完全克服沒有EUV的技術問題」。