據報三星HBM晶片未通過英偉達測試

外媒引述消息人士指，南韓三星電子(Samsung Electronics)最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片仍未通過人工智能(AI)晶片巨頭英偉達(Nvidia)的測試，原因是存在發熱及功耗問題，無法用於英偉達的AI處理器。

消息指，有關問題影響三星「HBM3」晶片，以及三星與競爭對手今年將推向市場的第五代「HBM3E」晶片。自去年起，三星一直努力通過英偉達對「HBM3」及「HBM3E」的測試，最近一次是上月公布三星8層及12層「HBM3E」晶片的測試失敗結果。

目前也不清楚有關問題是否容易解決，但消息人士稱，如果未能達到英偉達的要求，恐增加業界及投資者的擔憂，即三星在HBM方面，可能會進一步落後於競爭對手SK海力士及美光科技(Micron)。