日媒：中國半導體實力提升　僅落後台積電3年

日媒報道，日本專業拆解公司分析拆解報告指，中國半導體實力進步，已逼近至僅落後台積電3年的水平。報道指，美國的管制措施只是稍微拖慢中國的技術革新，但卻刺激中國半導體產業的自家生產步伐。

每年拆解約100項電子機械產品的半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治，以今年4月開賣的華為最新智慧手機「Huawei Pura 70 Pro」的應用處理器(AP)「KIRIN 9010」及2021年華為高性能智能手機用AP「KIRIN 9000」為例，「KIRIN 9010」由華為旗下海思半導體設計、中國晶圓代工大廠中芯(00981)採用7納米技術進行量產，「KIRIN 9000」則由海思半導體設計、台積電2021年時以5納米技術進行量產。

報道指，一般來說，電路線幅變細的話，半導體處理性能就會變高、晶片面積變小。清水洋治指，中芯採用7納米量產的晶片面積為118.4方毫米，跟台積電5納米晶片面積(107.8方毫米)差距不大，但處理性能卻幾乎相同。

清水洋治稱，雙方在良率上雖有落差，但單從出貨的晶片性能來看，中芯的實力逼近至只是落後台積電3年，中芯採用7納米技術，卻能達到跟台積電5納米同等的性能，反映海思半導體的設計能力進一步上升。

除記憶體、感射器外，Pura 70 Pro合計搭載37個主要半導體產品，其中海思半導體負責14個，其他中國廠商負責18個，非中國製產品僅DRAM(SK海力士)、運動感測器(博世)等5個，即高達86%半導體為中國製。

清水洋治指，美國政府的管制措施，目前只是稍微拖慢中國的技術革新，但卻刺激中國半導體產業的自家生產腳步。